由于物联网显著增加了捕获某种数据的端点数（2017年付运约20亿台设备，比2015年增长54%），因此需要大量的存储器来处理和存储数据。为此，正在构建大型服务器机群，这些机群将消耗大量电力。电源转换将产生热量，终将会有损耗。这种发热如此之大，以至于导致冷却成本是运行服务器机群的主要成本之一。这导致PSU制造商不断寻求构建更高能效的PSU。此外，为了以更佳的能效降低冷却成本，需要减小PSU的尺寸，从而使更多的服务器可以安装在相同的空间中。
传输这些数据的方式有很多种，但2019年部署的是下一代无线互联5G。一旦5G技术得以充分利用，它将能够提供比当前4G LTE网络快10倍的速度。这种速度的提高需要更高的功率，这将使每个5G无线电中的功率MOSFET数增加约5倍。
为此，安森美半导体提供高性能分立方案，以成功地实现云电源市场的高能效目标。相较上一代超级结器件，新的高能效的分立650 V SuperFETIII MOSFET系列使云电源能够达到这更高的能效。SuperFETIII技术提供三种不同的版本：易驱动版本(Easy Drive)、快恢复版本(FRFET)和快速版本(FAST)。应用和拓扑结构将决定应该使用哪个版本来获得最佳的能效。
针对次级端，安森美半导体提供全系列中、低压MOSFET，这些MOSFET已针对云电源进行了优化。T6技术为30V、40V和60V提供业界最低的RDSon。新的T8技术为25V、40V、60V和80V提供与T6相同的超低RDSon，同时进一步改善了开关参数。对于80 V、100 V和120 V，采用PTNG技术，提供出色的RDSon和体二极管性能。随着制造商挑战更高能效和强固性，他们开发出像安森美半导体的650及1200 V碳化硅(SiC)二极管这样的器件，用于功率因数校正(PFC)级。
随着基于云的物联网的急剧增加，云由最高能效的电源供电很重要。安森美半导体正尽己所能，提供25V至650 V的领先行业的MOSFET，并开发下一代半导体SiC。
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